型号参数与资料
- 型号
- BSZ035N03LS G
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 功率MOSFET
| 通道数量 | 1Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 40A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.5mΩ |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| 配置 | SingleQuadDrainTripleSource |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.1W |
| 高度 | 1.10mm |
| 长度 | 3.3mm |
| 系列 | OptiMOS3 |
| FET类型 | N-Channel |
| 下降时间 | 5ns |
| 上升时间 | 5.4ns |
| 典型关闭延迟时间 | 30ns |
| 典型接通延迟时间 | 7.8ns |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
功率MOSFET 3.3mm
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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